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                新洁能半导体

                无锡新洁能专业从事半导体功率器件ξ 的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产》品均获得江苏省高新技术产品认定。

                公司产品凭借低损耗、高可靠性品质,已成功进入汽车电ξ子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域,获得国内外知名公司的认证。公司利用自身技术优势,与国际知名的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续优质和稳定供货。


                 NCE6020AK

                NCE6020AK

                新洁能  MOS管  型号 NCE6020AK  N沟道,  60V/20A,  37毫欧。  MOS(场效应管)  漏源电压...

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                NCE30P30K

                NCE30P30K

                新洁能  MOS管  型号 NCE30P30K  P沟道,30V,30A.  目录MOS(场效应管)  目录MOS(场效应管)  ...

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                NCE6075K

                NCE6075K

                新洁能  MOS管  型号 NCE6075K  N沟道,  60V,75A,  9.1毫欧。  目录MOS(场效应管)  漏源...

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                nce6080k

                nce6080k

                新洁能  MOS管  型号 nce6080k  目录MOS(场效应管)  漏源电压(Vdss)60V  连续漏极电流(Id)(25°C...

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                NCE6050KA

                NCE6050KA

                新洁能  MOS管  全国型号 NCE6050KA  参数:  N沟道MOSFET.  VDS=60V,  ID=50A.  导通电阻<20...

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                NCE6005AS

                NCE6005AS

                新洁能  MOS管  型号 NCE6005AS  目录MOS(场效应管)  N沟道,30V/80A,5.5毫欧。  漏源电压(Vdss...

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